pmos管工作原理及详解 p沟道mos管开启条件

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于pmos管工作原理及详解的问题，于是小编就整理了3个相关介绍pmos管工作原理及详解的解答，让我们一起看看吧。

1. pmos工作原理？
2. npn mos工作原理？
3. mos管pn结的工作原理？

pmos工作原理？

PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子。

而在衬底感应的是可运动的正荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

npn mos工作原理？

这里以NMOS和NPN三极管为例，并且以电子流（而非电流）方向为主来说明。

一、符号

MOS管一般可以简化为三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D），MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况；

BJT三极管有三个极，分别是基极（B）发射极（E）和集电极（C），三极管是电流控制型器件，用基极电流来控制发射极与集电极的导通情况；

二、截止区

NPN三极管也一样，如果偏压小于阈值电压，也相当于两个背靠背的二极管，不导通；

三、线性区

NMOS如果栅上加正电压，就会在其下感应出相反极性的负电荷，从而产生N型沟道，使源漏导通。如果不考虑源漏电压影响，则栅压高一点，产生的沟道就宽一点，导通能力就大一点，这就是线性区。

NPN管如果BE结加正向偏置导通，电子就会进入到基区。除了被基区的P型空穴俘获外，它们有两个地方可以去：一个是从基极流出，一个是被集电极更高的正电压吸收。集电极电压越高，能收集到的电子就会越多，这也是线性变化的。

四、饱和区

NMOS在漏极电压比较高时，会使沟道夹断，之后即使电压升高，电流不会再升高，因此叫做饱和区；

NPN三极管在集电极电压比较高时，也会几乎全部收集到从发射极过来的电子，电压再升高也没有办法收集到更多，也是它的饱和区。

五、电流电压曲线

在线性区，随着电压升高，源漏电流或集电极电流上升。而在饱和区电压升高，电流基本都保持不变。二者的趋势基本一致。

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

MOS管一般说P沟道或者N沟道

简单的说下导通条件：

P沟道：源极电压高于门极电压一定值，如10V；

N沟道：门极电压高于源极电压一定值，如10V

mos管pn结的工作原理？

PN结和MOS管原理

1.PN结加正向电压时导通: 如果电源的正极接P区,负极接N区,外加的正向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过.方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性.。

2.PN结加反向电压时截止: 如果电源的正极接N区,负极接P区,外加的反向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于反向偏置。则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽，电流不能流过，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。

到此，以上就是小编对于pmos管工作原理及详解的问题就介绍到这了，希望介绍关于pmos管工作原理及详解的3点解答对大家有用。