场效应晶体管工作原理 有机场效应晶体管工作原理

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于场效应晶体管工作原理的问题，于是小编就整理了2个相关介绍场效应晶体管工作原理的解答，让我们一起看看吧。

1. 场效应晶体管的应用？
2. Pd-mos场效应晶体管原理？

场效应晶体管的应用？

1、场效应晶体管低压应用:

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的场效应晶体管就存在一定的风险。

同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2、场效应晶体管宽电压应用:

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给场效应晶体管的驱动电压是不稳定的。

为了让场效应晶体管在高gate电压下安全，很多场效应晶体管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，场效应晶体管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。

3、场效应晶体管双电压应用:

在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压***用共地方式连接。

这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的场效应晶体管，同时高压侧的场效应晶体管也同样会面对1和2中提到的问题。

Pd-mos场效应晶体管原理？

Pd-mos场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

到此，以上就是小编对于场效应晶体管工作原理的问题就介绍到这了，希望介绍关于场效应晶体管工作原理的2点解答对大家有用。